3D IC關鍵製程設備技術發展趨勢之研究


  • 書  號: MIRDC-103-S103
  • 作  者: 陳慧娟
  • 出  版: 2014-12-04
  • 本書定價: NT$ 3,000

台灣有完整的半導體上中下游垂直供應鏈,很適合發展3D IC技術產品,有利半導體產業串連與技術扎根。故在3D IC技術發展成熟前,本土設備與終端廠商投入研發,可降低台灣整體設備、製程成本並掌握自主技術,進而加速台灣在3D IC產業的量產時程。相信這是讓台灣半導體產業走出傳統代工模式的契機,藉由技術扎根與永續發展讓台灣在未來全球半導體技術中扮演更重要角色。

目錄索引


第一章 緒論 ......................................................................... 1
第一節 研究動機與目的 .................................................................... 1
第二節 研究範圍 ............................................................................... 2
第三節 研究方法與架構 .................................................................... 4
第四節 研究時程與限制 .................................................................... 6
第二章 全球3D IC技術發展趨勢 ........................................... 9
第一節 3D IC製程整合技術 .............................................................. 9
第二節 矽穿孔蝕刻製程技術 ........................................................... 17
第三節 矽穿孔填孔製程技術 ........................................................... 25
第四節 晶圓薄化製程技術 ............................................................... 27
第五節 晶圓接合製程技術 ............................................................... 32
第三章 全球3D IC關鍵設備技術發展趨勢 ............................ 37
第一節 矽晶直通孔(TSV)製程技術 .................................................. 41
第二節 晶圓薄化製程技術 .............................................................. 53
第三節 晶圓接合製程技術 .............................................................. 56
第四章 全球3D IC市場分析 ............................................... 61
第一節 應用產業 ............................................................................. 62
第二節 區域市場分析 ...................................................................... 67
第三節 總結 .................................................................................... 69
第五章 我國3D IC關鍵設備零組件技術與廠商發展動向 ....... 71
第一節 黃光製程 ............................................................................ 75
第二節 乾式蝕刻製程 ..................................................................... 89
第三節 溼式蝕刻/清潔製程 ............................................................. 93
第四節 鍍膜製程 ............................................................................ 97
第五節 貼合製程 .......................................................................... 100
第六節 封測製程 .......................................................................... 104
第七節 總結 ................................................................................. 107
第六章 結論與建議 ........................................................... 109
第一節 結論 .................................................................................. 109
第二節 策略建議 .......................................................................... 113
參考資料 ........................................................................... 117

回列表
TOP