碳化矽晶圓in-line製程與設備發展概況

出版日期 2024-05-09
作者 陳靜樺
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摘要

在電動車、5G等應用的帶動下,全球對化合物半導體的需求持續強勁。為了滿足市場需求,除了需生長出高品質的碳化矽晶錠以便加工成晶圓外,完成磊晶的晶圓需再進入元件製造產線進行in-line製程加工,才可製成應用端所需的晶片。而碳化矽的材料特性,使得設備商在技術發展上面臨不少挑戰。

我國目前已具備部分矽基半導體in-line製程加工能量,雖然碳化矽與傳統矽晶圓在材料特性上具有一定之差異,但在整體in-line製程上仍有高度相似之處。鑒於化合物半導體未來發展性,以及為了更完整地串接國內整體化合物半導體產業能量,建議我國業者可透過科技研發資源,針對碳化矽與矽製程所需之規格差異、量能落差以及製程差異,強化技術研發的投入力道與規模。

目錄

一、化合物半導體in-line製程技術概要

二、國際設備大廠發展概況

三、結語

圖目錄

【圖1】化合物半導體in-line製程解析圖

【圖2】Centura DxZ CVD系統

【圖3】VIISta® 900 3D熱離子植入系統

【圖4】Probus-SiC™ CVD薄膜生長設備

【圖5】NS300+ 200mm Conversion清洗設備

【圖6】c.ACTIVATOR高溫退火設備

【圖7】IH-860DSIC高溫離子佈值設備

【圖8】SB8 Gen2 Wafer Bonder貼合設備