原子沉積技術應用動向剖析

出版日期 2015-05-31
作者 陳仲宜
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摘要

原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)技術是一種在速率可控的條件下,透過前軀體氣體及反應氣體選擇性地脈衝進入腔體到達基材,在其表面發生物理與化學吸附或發生表面飽和反應,將物質以單原子膜的形式一層一層沉積在基材表面的方法。原子層沉積與一般的化學氣相沉積有相似之處,差別在於原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的,這種方式使每次反應只沉積一層原子。

目錄

一、原子層沉積技術及優勢
二、原子層沉積技術應用趨勢
三、未來展望

圖目錄

【圖1】原子層沉積的基本步驟