化合物半導體加工技術與設備發展

出版日期 2024-02-26
作者 陳靜樺
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摘要

隨著全球對電動車、5G等產品的需求成長,近年來越來越多業者投入化合物半導體生產。為此,業者多需取得高品質的碳化矽晶圓基板,而這些基板係在完成碳化矽長晶後,對晶錠進行切割、研磨、拋光、清洗、檢測等加工流程後所製成。而碳化矽的脆硬特性等,使得設備商在技術發展上面臨不少挑戰。

目前我國已具備部分矽基半導體相關加工設備供應能量,雖碳化矽材料特性與傳統矽晶圓具有一定之差異,但整體加工製程仍有高度相似之處。鑒於化合物半導體未來的發展性,建議政府可透過研發補助計畫,協助我國設備業者針對碳化矽與矽加工間之規格差異以及量能落差(如切割硬度)投入技術開發。

目錄

一、化合物半導體加工技術概要

二、國內外設備商發展概況

三、結語

圖目錄

【圖1】KABRA! Zen設備

【圖2】Mirra® Durum™ CMP系統

【圖3】8930系列晶圓檢測系統

【圖4】Aixtron G10‑GaN

【圖5】RIBER MBE 8000

【圖6】GC-200雷射加工設備

【圖7】漢民MOCVD設備