全球化合物半導體需求強勁,2023~2025年之年複合成長率約達36%,其中8吋市場之年複合成長率達52%,皆加速了相關製程技術與設備的發展與布局。而碳化矽長晶約占整體碳化矽晶圓製造成本之50%,且基板品質將直接影響後續元件之效能,顯見長晶製程對於碳化矽產業鏈之重要性。
為使我國能持續保有在半導體產業之領導地位,並搶占化合物半導體新興商機,建議我國業者可加速碳化矽長晶關鍵設備開發。除了主流的物理氣相傳輸法(PVT)外,為因應基板尺寸擴大、降低成本之需求,建議國內業者或可評估布局新興的液相磊晶法(LPE)設備開發。
一、前言
二、碳化矽長晶技術與發展
三、碳化矽長晶設備發展概況
四、結語
【圖1】2022~2025年全球功率半導體市場需求
【圖2】國際大廠於碳化矽基板之技術發展節點與進程
【圖3】MRF碳化矽長晶爐
【圖4】PVA TePla SiCube長晶爐
【圖5】CVDE碳化矽長晶爐PVT150
【表1】碳化矽長晶方法彙整
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