先進國家半導體設備技術開發趨勢

出版日期 2014-11-30
作者 陳慧娟
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摘要

為了追求甚至超越摩爾定律(More than Moore’s Law),新興製程技術-三維積體電路(3D IC)的概念逐漸浮出檯面且其關鍵製程技術亦陸續積極研發中。3D IC關鍵製程技術包括矽晶直通孔(Through-Silicon-Via,TSV)、晶圓級接合(Wafer Level Bonding)及晶圓薄化(Wafer Thinning),如何達到各關鍵製程之最佳化將直接影響到整體3D IC電路系統整合良率及品質的要求。

目錄

一、摘要
二、前言
三、矽晶直通孔(TSV)製程技術
四、結論

圖目錄

【圖1】3D IC晶片堆疊概念圖
【圖2】3D IC高度異質整合未來藍圖
【圖3】TSV製程流程圖
【圖4】背面對準方式示意圖
【圖5】(1)穿透式紅外線對準(2)反射式紅外線對準 示意圖
【圖6】穿透式紅外線對準示意圖
【圖7】艾司摩爾黃光微影步進機示意圖
【圖8】艾司摩爾黃光微影設備研究開發示意圖
【圖9】Raider R-S ECD系統的電鍍腔體
【圖10】Raider R-S ECD系統的電鍍sem圖
【圖11】矽晶直通孔製程技術趨勢示意圖
【圖12】矽晶直通孔在各類應用示意圖
【圖13】矽晶直通孔晶圓在未來市場產品示意圖

表目錄

【表1】矽晶直通孔製程步驟